FDD4N60NZ MOSFET 2,5 A выхадны ток GateDrive Optocopler

Кароткае апісанне:

Вытворцы: ON Semiconductor

Катэгорыя прадукту: Транзістары – FET, MOSFET – Адзінкавыя

Тэхнічны ліст:FDD4N60NZ

Апісанне: MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK

Статус RoHS: Сумяшчальны з RoHS

Дашліце нам ліст

Дэталь прадукту

Тэгі прадукту

♠ Апісанне прадукту

Атрыбут прадукту	Значэнне атрыбута
Вытворца:	онсемі
Катэгорыя прадукту:	MOSFET
RoHS:	Дэталі
Тэхналогія:	Si
Стыль мантажу:	SMD/SMT
Упакоўка / чахол:	ДПАК-3
Палярнасць транзістара:	N-канал
Колькасць каналаў:	1 канал
Vds - напружанне прабоя сток-крыніца:	600 В
Ідэнтыфікатар - бесперапынны ток сцёку:	1,7 А
Rds On - супраціўленне сток-крыніца:	1,9 Ом
Vgs - напружанне засаўка-крыніца:	- 25 В, + 25 В
Vgs th - Парогавае напружанне затвор-крыніца:	5 В
Qg - Зарад варот:	8,3 нКл
Мінімальная працоўная тэмпература:	- 55 С
Максімальная працоўная тэмпература:	+ 150 С
Pd - рассейванне магутнасці:	114 Вт
Рэжым канала:	Паляпшэнне
Гандлёвая назва:	UniFET
Упакоўка:	Катушка
Упакоўка:	Абрэзаць стужку
Упакоўка:	MouseReel
Марка:	onsemi / Fairchild
Канфігурацыя:	Халасты
Восеньскі час:	12,8 нс
Прамая праводнасць - Мін.:	3.4 С
Рост:	2,39 мм
Даўжыня:	6,73 мм
прадукт:	MOSFET
Тып прадукту:	MOSFET
Час нарастання:	15,1 нс
серыя:	FDD4N60NZ
Завадская колькасць упакоўкі:	2500
Падкатэгорыя:	МАП-транзістары
Тып транзістара:	1 N-канал
Тыповы час затрымкі выключэння:	30,2 нс
Тыповы час затрымкі ўключэння:	12,7 нс
Шырыня:	6,22 мм
Вага:	0,011640 унцый