NTMFS4C028NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH
♠ Апісанне прадукту
| Атрыбут прадукту | Значэнне атрыбута |
| Вытворца: | онсемі |
| Катэгорыя прадукту: | MOSFET |
| RoHS: | Дэталі |
| Тэхналогія: | Si |
| Стыль мантажу: | SMD/SMT |
| Упакоўка / чахол: | СО-8ФЛ-4 |
| Палярнасць транзістара: | N-канал |
| Колькасць каналаў: | 1 канал |
| Vds - напружанне прабоя сток-крыніца: | 30 В |
| Ідэнтыфікатар - бесперапынны ток сцёку: | 52 А |
| Rds On - супраціўленне сток-крыніца: | 4,73 мОм |
| Vgs - напружанне засаўка-крыніца: | - 20 В, + 20 В |
| Vgs th - Парогавае напружанне затвор-крыніца: | 2,2 В |
| Qg - Зарад варот: | 22,2 нКл |
| Мінімальная працоўная тэмпература: | - 55 С |
| Максімальная працоўная тэмпература: | + 150 С |
| Pd - рассейванне магутнасці: | 6 Вт |
| Рэжым канала: | Паляпшэнне |
| Упакоўка: | Катушка |
| Упакоўка: | Абрэзаць стужку |
| Упакоўка: | MouseReel |
| Марка: | онсемі |
| Канфігурацыя: | Халасты |
| Тып прадукту: | MOSFET |
| серыя: | NTMFS4C028N |
| Завадская колькасць упакоўкі: | 1500 |
| Падкатэгорыя: | МАП-транзістары |
| Вага: | 0,026455 унцыі |
• Нізкі RDS (уключаны), каб мінімізаваць страты праводнасці
• Нізкая ёмістасць для мінімізацыі страт драйвера
• Аптымізаваная зарадка варот для мінімізацыі страт пры пераключэнні
• Гэтыя прылады не ўтрымліваюць Pb, галагенаў/BFR і адпавядаюць RoHS
• Дастаўка харчавання працэсара
• DC−DC пераўтваральнікі
