SI3417DV-T1-GE3 MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
♠ Апісанне прадукту
| Атрыбут прадукту | Значэнне атрыбута |
| Вытворца: | Вішай |
| Катэгорыя прадукту: | MOSFET |
| RoHS: | Дэталі |
| Тэхналогія: | Si |
| Стыль мантажу: | SMD/SMT |
| Упакоўка / чахол: | ЦОП-6 |
| Палярнасць транзістара: | P-канал |
| Колькасць каналаў: | 1 канал |
| Vds - напружанне прабоя сток-крыніца: | 30 В |
| Ідэнтыфікатар - бесперапынны ток сцёку: | 8 А |
| Rds On - супраціўленне сток-крыніца: | 36 мОм |
| Vgs - напружанне засаўка-крыніца: | - 20 В, + 20 В |
| Vgs th - Парогавае напружанне затвор-крыніца: | 3 В |
| Qg - Зарад варот: | 50 нКл |
| Мінімальная працоўная тэмпература: | - 55 С |
| Максімальная працоўная тэмпература: | + 150 С |
| Pd - рассейванне магутнасці: | 4,2 Вт |
| Рэжым канала: | Паляпшэнне |
| Гандлёвая назва: | TrenchFET |
| серыя: | SI3 |
| Упакоўка: | Катушка |
| Упакоўка: | Абрэзаць стужку |
| Упакоўка: | MouseReel |
| Марка: | Vishay Semiconductors |
| Канфігурацыя: | Халасты |
| Рост: | 1,1 мм |
| Даўжыня: | 3,05 мм |
| Тып прадукту: | MOSFET |
| Завадская колькасць упакоўкі: | 3000 |
| Падкатэгорыя: | МАП-транзістары |
| Шырыня: | 1,65 мм |
| Вага: | 0,000705 унцый |
• TrenchFET® Power MOSFET
• Праверана на 100% Rg і UIS
• Катэгарызацыя матэрыялу:
Для вызначэння адпаведнасці, калі ласка, гл.
• Пераключальнікі нагрузкі
• Пераключальнік адаптара
• DC/DC Пераўтваральнік
• Для мабільных кампутараў/спажывец
