FDC8878 MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

Вытворцы: ON Semiconductor

Катэгорыя прадукту: Транзістары – FET, MOSFET – Адзінкавыя

Тэхнічны ліст:FDC8878

Апісанне: MOSFET N-CH 30V 8A 6-SSOT

Статус RoHS: Сумяшчальны з RoHS

Дэталь прадукту

Атрыбут прадукту	Valor de atributo
Вытворца:	онсемі
Катэгорыя прадукту:	MOSFET
RoHS:	Падрабязнасці
Тэхналогія:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	ССОТ-6
Палярны транзістар:	N-канал
Колькасць каналаў:	1 канал
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 В
Id - Corriente de drenaje continua:	8 А
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	16 мОм
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 В, + 20 В
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1,2 В
Qg - Carga de Puerta:	18 нКл
Мінімальная тэмпература працы:	- 55 С
Максімальная тэмпература працы:	+ 150 С
Dp - Disipación de potencia:	800 мВт
Канал Modo:	Паляпшэнне
Камерцыйны нумар:	PowerTrench
Empaquetado:	Катушка
Empaquetado:	Абрэзаць стужку
Empaquetado:	MouseReel
Марка:	onsemi / Fairchild
Канфігурацыя:	Халасты
Альтура:	1,1 мм
Даўгата:	2,9 мм
Тып прадукту:	MOSFET
серыя:	FDC8878
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Падкатэгорыя:	МАП-транзістары
Тып транзістара:	1 N-канал
Анчо:	1,6 мм
Песа дэ ла унідад:	0,001270 унцый