FDMC6679AZ MOSFET -30V P-Channel Power Trench
♠ Апісанне прадукту
| Атрыбут прадукту | Значэнне атрыбута |
| Вытворца: | онсемі |
| Катэгорыя прадукту: | MOSFET |
| RoHS: | Дэталі |
| Тэхналогія: | Si |
| Стыль мантажу: | SMD/SMT |
| Упакоўка / чахол: | Магутнасць-33-8 |
| Палярнасць транзістара: | P-канал |
| Колькасць каналаў: | 1 канал |
| Vds - напружанне прабоя сток-крыніца: | 30 В |
| Ідэнтыфікатар - бесперапынны ток сцёку: | 20 А |
| Rds On - супраціўленне сток-крыніца: | 10 мОм |
| Vgs - напружанне засаўка-крыніца: | - 25 В, + 25 В |
| Vgs th - Парогавае напружанне затвор-крыніца: | 1,8 В |
| Qg - Зарад варот: | 37 нКл |
| Мінімальная працоўная тэмпература: | - 55 С |
| Максімальная працоўная тэмпература: | + 150 С |
| Pd - рассейванне магутнасці: | 41 Вт |
| Рэжым канала: | Паляпшэнне |
| Гандлёвая назва: | PowerTrench |
| Упакоўка: | Катушка |
| Упакоўка: | Абрэзаць стужку |
| Упакоўка: | MouseReel |
| Марка: | onsemi / Fairchild |
| Канфігурацыя: | Халасты |
| Прамая праводнасць - Мін.: | 46 С |
| Рост: | 0,8 мм |
| Даўжыня: | 3,3 мм |
| Тып прадукту: | MOSFET |
| серыя: | FDMC6679AZ |
| Завадская колькасць упакоўкі: | 3000 |
| Падкатэгорыя: | МАП-транзістары |
| Тып транзістара: | 1 P-канал |
| Шырыня: | 3,3 мм |
| Вага: | 0,005832 унцыі |
♠ FDMC6679AZ P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 В, -20 A, 10 мОм
FDMC6679AZ быў распрацаваны, каб мінімізаваць страты пры пераключэнні нагрузкі.Дасягненні ў крамянёвых і пакетных тэхналогіях былі аб'яднаны, каб прапанаваць самую нізкую абарону ад RDS(on) і ESD.
• Макс. rDS(уключана) = 10 мОм пры VGS = -10 В, ID = -11,5 A
• Макс. rDS(уключана) = 18 мОм пры VGS = -4,5 В, ID = -8,5 А
• Узровень абароны HBM ESD 8 кВ тыповы (заўвага 3)
• Пашыраны дыяпазон VGSS (-25 В) для батарэй
• Высокаэфектыўная траншэйная тэхналогія для надзвычай нізкага ўзроўню RDS (укл.)
• Высокая магутнасць і здольнасць апрацоўваць ток
• Заканчэнне не ўтрымлівае свінцу і адпавядае RoHS
• Пераключальнік нагрузкі ў ноўтбуку і серверы
• Кіраванне сілкаваннем батарэі ноўтбука
