FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V
♠ Апісанне прадукту
| Атрыбут прадукту | Valor de atributo |
| Вытворца: | онсемі |
| Катэгорыя прадукту: | MOSFET |
| RoHS: | Падрабязнасці |
| Тэхналогія: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Cubierta: | ССОТ-3 |
| Палярны транзістар: | N-канал |
| Колькасць каналаў: | 1 канал |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 30 В |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2.2 А |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 65 мОм |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 8 В, + 8 В |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 400 мВ |
| Qg - Carga de Puerta: | 9 нК |
| Мінімальная тэмпература працы: | - 55 С |
| Максімальная тэмпература працы: | + 150 С |
| Dp - Disipación de potencia: | 500 мВт |
| Канал Modo: | Паляпшэнне |
| Empaquetado: | Катушка |
| Empaquetado: | Абрэзаць стужку |
| Empaquetado: | MouseReel |
| Марка: | onsemi / Fairchild |
| Канфігурацыя: | Халасты |
| Tiempo de caída: | 10 нс |
| Transconductancia hacia delante - Мін.: | 13 с |
| Альтура: | 1,12 мм |
| Даўгата: | 2,9 мм |
| Прадукт: | MOSFET малы сігнал |
| Тып прадукту: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 10 нс |
| серыя: | FDN337N |
| Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
| Падкатэгорыя: | МАП-транзістары |
| Тып транзістара: | 1 N-канал |
| Тыпа: | FET |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 17 нс |
| Tiempo típico de mora de encendido: | 4 нс |
| Анчо: | 1,4 мм |
| Псеўданім de las piezas n.º: | FDN337N_NL |
| Песа дэ ла унідад: | 0,001270 унцый |
♠ Транзістар - N-канальны, лагічны ўзровень, рэжым паляпшэння, эфект поля
Палявыя транзістары ў рэжыме павышэння лагічнага ўзроўню SUPERSOT−3 N−Channel вырабляюцца з выкарыстаннем запатэнтаванай тэхналогіі DMOS высокай шчыльнасці ячэек Onsemi.Гэты працэс вельмі высокай шчыльнасці спецыяльна распрацаваны для мінімізацыі супраціву ўключанага стану.Гэтыя прылады асабліва падыходзяць для прымянення нізкага напружання ў партатыўных камп'ютарах, партатыўных тэлефонах, картах PCMCIA і іншых схемах з харчаваннем ад акумулятараў, дзе неабходныя хуткае пераключэнне і нізкія страты магутнасці ў лініі ў вельмі невялікім корпусе для павярхоўнага мантажу.
• 2,2 А, 30 В
♦ RDS (уключана) = 0,065 @ VGS = 4,5 В
♦ RDS (уключана) = 0,082 пры VGS = 2,5 В
• Пакет прамысловага стандарту SOT−23 для павярхоўнага мантажу з выкарыстаннем запатэнтаванай канструкцыі SUPERSOT−3 для найвышэйшых цеплавых і электрычных магчымасцей
• Канструкцыя ячэек высокай шчыльнасці для надзвычай нізкага RDS (уключана)
• Выключнае супраціўленне ўключэння і максімальная здольнасць пастаяннага току
• Гэта прылада не ўтрымлівае свінцу і галагенаў
