SI1029X-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR
♠ Апісанне прадукту
| Атрыбут прадукту | Значэнне атрыбута |
| Вытворца: | Вішай |
| Катэгорыя прадукту: | MOSFET |
| RoHS: | Дэталі |
| Тэхналогія: | Si |
| Стыль мантажу: | SMD/SMT |
| Пакет/чахол: | СК-89-6 |
| Палярнасць транзістара: | N-канал, P-канал |
| Колькасць каналаў: | 2 канал |
| Vds - напружанне прабоя сток-крыніца: | 60 В |
| Ідэнтыфікатар - бесперапынны ток сцёку: | 500 мА |
| Rds On - супраціўленне сток-крыніца: | 1,4 Ома, 4 Ома |
| Vgs - напружанне засаўка-крыніца: | - 20 В, + 20 В |
| Vgs th - Парогавае напружанне затвор-крыніца: | 1 В |
| Qg - Зарад варот: | 750 пКл, 1,7 нКл |
| Мінімальная працоўная тэмпература: | - 55 С |
| Максімальная працоўная тэмпература: | + 150 С |
| Pd - рассейванне магутнасці: | 280 мВт |
| Рэжым канала: | Паляпшэнне |
| Гандлёвая назва: | TrenchFET |
| Упакоўка: | Катушка |
| Упакоўка: | Абрэзаць стужку |
| Упакоўка: | MouseReel |
| Марка: | Vishay Semiconductors |
| Канфігурацыя: | Двайны |
| Прамая праводнасць - Мін.: | 200 мс, 100 мс |
| Рост: | 0,6 мм |
| Даўжыня: | 1,66 мм |
| Тып прадукту: | MOSFET |
| серыя: | СІ1 |
| Завадская колькасць упакоўкі: | 3000 |
| Падкатэгорыя: | МАП-транзістары |
| Тып транзістара: | 1 N-канал, 1 P-канал |
| Тыповы час затрымкі выключэння: | 20 нс, 35 нс |
| Тыповы час затрымкі ўключэння: | 15 нс, 20 нс |
| Шырыня: | 1,2 мм |
| Частка # Псеўданімы: | SI1029X-GE3 |
| Вага: | 32 мг |
• Без галагенаў У адпаведнасці з вызначэннем IEC 61249-2-21
• Магутныя MOSFET TrenchFET®
• Вельмі невялікі след
• Пераключэнне высокага боку
• Нізкае супраціўленне ўключэнню:
N-канал, 1,40 Ом
P-канал, 4 Ом
• Нізкі парог: ± 2 В (тып.)
• Высокая хуткасць пераключэння: 15 нс (тып.)
• Затвор-крыніца з абаронай ад ESD: 2000 В
• Адпавядае дырэктыве RoHS 2002/95/EC
• Заменіце лічбавы транзістар, пераключальнік ўзроўню
• Сістэмы, якія працуюць ад батарэі
• Схемы пераўтваральніка крыніцы харчавання
